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中国科学院物理研究所开发了超薄Te表面Se替位掺杂方法，实现了二维半导体能带结构的连续调节和载流子类型转变

来源: Phys. Rev. Lett.; Nano Lett.; Adv. Mater.; Phys. Rev. B合作: 王炜华、郭建东、喻泽、刘淼、郭沁林、苏诺雨、黄筱淳、李博、衷惟良