陈中子

中国科学院微电子研究所

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陈中子来自中国科学院微电子研究所,专利9件。擅长波导耦合、半导体制造、辅助器件、波导传输、印刷电路制造。最擅长波导耦合。排名在TOP21。一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法是存续时间最长的专利。与刘新宇合作9次。

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