陈中子
中国科学院微电子研究所
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陈中子来自中国科学院微电子研究所,专利9件。擅长波导耦合、半导体制造、辅助器件、波导传输、印刷电路制造。最擅长波导耦合。排名在TOP21。一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法是存续时间最长的专利。与刘新宇合作9次。
中国科学院微电子研究所
陈中子来自中国科学院微电子研究所,专利9件。擅长波导耦合、半导体制造、辅助器件、波导传输、印刷电路制造。最擅长波导耦合。排名在TOP21。一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法是存续时间最长的专利。与刘新宇合作9次。
申请日: 20110127 公开日: 20140917 申请人: 中国科学院微电子研究所
申请日: 20101207 公开日: 20140101 申请人: 中国科学院微电子研究所
申请日: 20101126 公开日: 20131204 申请人: 中国科学院微电子研究所
申请日: 20071226 公开日: 20121121 申请人: 中国科学院微电子研究所
申请日: 20081219 公开日: 20120704 申请人: 中国科学院微电子研究所
CN201110030283.0
CN201010577694.7
CN201010561133.8
CN200810239889.3
CN200810239889.3
CN200810222333.3
CN200810119584.9
CN200810119585.3
CN200810119084.5
CN200710303892.2