袁婷婷
中国科学院微电子研究所
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袁婷婷来自中国科学院微电子研究所，专利32件。擅长半导体制造、放大元件、波导耦合、辅助器件。最擅长半导体制造。排名在TOP16。AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法是存续时间最长的专利。与刘新宇合作29次。
历年科研重点
放大元件 电子管半导体放大 H01L29 计算机辅助设计 波导耦合
技术领域排名
专利列表
- 有效
一种紧凑型Doherty功率放大器
申请日: 20210122 公开日: 20250801 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种基于改进型级间匹配的Doherty功率放大器
申请日: 20210122 公开日: 20250801 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种宽带功分器和宽带功率放大器
申请日: 20210727 公开日: 20250408 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种适用于划片后分立器件的提参建模方法
申请日: 20210125 公开日: 20250321 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备
申请日: 20210602 公开日: 20240402 申请人: 中国科学院微电子研究所
显示 1-5 条，共 32 条
科研动态
产研合作关联
与 刘新宇 的合作详情
共 29 项合作记录一种宽带功分器和宽带功率放大器
20210727CN202110851718.1
基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备
20210602CN202110614139.5
一种低噪声放大器和射频前端电路
20210316CN202110281815.1
一种适用于划片后分立器件的提参建模方法
20210125CN202110109527.8
一种紧凑型Doherty功率放大器
20210122CN202110090430.7
一种基于改进型级间匹配的Doherty功率放大器
20210122CN202110090379.X
一种具有深回退区间的Doherty功率放大器
20201127CN202011357413.7
一种紧凑型宽带Doherty功率放大器
20200731CN202010758658.4
场效应晶体管液体传感器及其制备方法
20140425CN201410169651.3
一种数字移相器
20140425CN201410169560.X
一种金属-介质-金属结构电容的制作方法
20140418CN201410156492.3
一种监控AlGaN/GaN HEMT凹栅槽刻蚀的方法
20140210CN201410046236.9
氮化镓基液体传感器及其制备方法
20120831CN201210319891.8
一种对晶圆表面进行处理的方法
20120316CN201210070912.7
基于钨金属的电子束对准标记的制作方法
20120316CN201210070080.9
一种测量FET沟道温度的装置及方法
20110902CN201110259249.0
一种多栅指GaN HEMTs
20110811CN201110229091.2
一种测量FET沟道温度的装置及方法
20110804CN201110223026.9
一种测量FET沟道温度的方法
20110804CN201110223026.9
一种微波集成电路微带网络
20101228CN201010609275.7
AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法
20101215CN201010589028.5
一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法
20101126CN201010561133.8
多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法
20091228CN200910312391.X
一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法
20091124CN200910238767.7
一种微带－波导转换探针与阻抗匹配的方法
20081219CN200810239889.3
一种微带-波导转换探针的阻抗匹配方法
20081219CN200810239889.3
应用于微带－波导转换的阶梯型脊波导结构
20080917CN200810222333.3
一种适用于毫米波功率合成及分配的波导结构
20080903CN200810119585.3
一种针对波导－探针－波导形式的双层腔体结构
20080903CN200810119584.9
对Ku波段微带型开关电路印制电路板进行背金的方法
20080828CN200810119084.5
多个子腔体的微带型微波开关
20071226CN200710303892.2
