程伟
中国科学院微电子研究所
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程伟来自中国科学院微电子研究所,专利8件。擅长半导体制造、放大元件、脂环烃。最擅长半导体制造。排名在TOP19。一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法是存续时间最长的专利。与北京中科微投科技有限公司合作3次,与金智合作8次。
中国科学院微电子研究所
程伟来自中国科学院微电子研究所,专利8件。擅长半导体制造、放大元件、脂环烃。最擅长半导体制造。排名在TOP19。一种引出亚微米HBT发射极/HEMT栅的方法是存续时间最长的专利。与北京中科微投科技有限公司合作3次,与金智合作8次。
申请日: 20090211 公开日: 20130501 申请人: 北京中科微投科技有限公司
申请日: 20090211 公开日: 20130501 申请人: 北京中科微投科技有限公司
申请日: 20091223 公开日: 20110629 申请人: 中国科学院微电子研究所
申请日: 20071128 公开日: 20100113 申请人: 北京中科微投科技有限公司
申请日: 20071128 公开日: 20090603 申请人: 中国科学院微电子研究所
CN200710178316.X
CN200910077671.7
CN200910077675.5