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专利列表
- 在审
一种晶体管多变性测试表征方法、装置及设备
申请日: 20250925 公开日: 20251219 申请人: 北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司
- 在审
插入原子级别氧化物插层的IGZO薄膜晶体管及其制作方法
申请日: 20250804 公开日: 20251111 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 在审
一种分析非晶半导体晶体管缺陷态密度的方法
申请日: 20250418 公开日: 20250812 申请人: 北京超弦存储器研究院
- 在审
一种氧化物沟道晶体管缺陷态密度测试方法及系统
申请日: 20240311 公开日: 20240625 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种电磁场协同作用下的循环盐雾试验装置及方法
申请日: 20210514 公开日: 20230321 申请人: 北京科技大学
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