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专利列表

  • 金属互连结构、半导体器件及提高扩散阻挡层性能的方法

    申请日: 20201209 公开日: 20230818 申请人: 中国科学院微电子研究所

    有效
  • 一种纳米线的制作方法

    申请日: 20180611 公开日: 20211022 申请人: 中国科学院微电子研究所

    有效
  • 碳化硅欧姆接触结构的形成方法及MOS晶体管的制备方法

    申请日: 20210310 公开日: 20210727 申请人: 中国科学院微电子研究所

    在审
  • 一种半导体器件的制造方法

    申请日: 20210412 公开日: 20210716 申请人: 中国科学院微电子研究所

    失效
  • 一种半导体器件及其制造方法

    申请日: 20210115 公开日: 20210601 申请人: 中国科学院微电子研究所

    失效
显示 1-5 条,共 6 条

科研动态

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  • 中国科学院利用杂质分凝现象降低源漏接触电阻率

    来源: IEEE Electron Device Letters;IEEE Transactions on Electron Devices合作: 罗军

    2021-06-23
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