暂无，待补充字段
0专利总数
0许可专利
0转让专利
0第一发明人
0合作企业
专利列表
- 有效
一种围栅器件及其制造方法
申请日: 20221130 公开日: 20260403 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种场效应晶体管及其制造方法
申请日: 20250221 公开日: 20260331 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
半导体器件及其制备方法
申请日: 20221205 公开日: 20260327 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 在审
一种磁电自旋晶体管及其制造方法、电子设备
申请日: 20251105 公开日: 20260327 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 有效
一种半导体器件及其制备方法
申请日: 20220401 公开日: 20260327 申请人: 中国科学院微电子研究所
显示 1-5 条，共 487 条
科研动态
中国科学院提出低温臭氧准原子级处理技术优化GAA晶体管性能
来源: IEEE Electron Device Letters合作: 蒋任婕、桑冠荞、张青竹
中国科学院微电子研究所提出近自对准支撑台技术降低GAA器件寄生电阻
来源: IEEE Electron Device Letters合作: 蒋任婕、张青竹
北京大学提出平面内二维横向外延技术，实现单晶2H-MoTe2薄膜在任意基底上的异质集成
来源: Nature synthesis合作: 叶堉、潘宇、Roger Guzman、陈基、周武、徐晓龙、唐宁、何军、武爱民
北京大学提出平面内二维横向外延技术，实现任意基底上单晶2H-MoTe2薄膜合成。
来源: Nature synthesis合作: 叶堉、潘宇、Roger Guzman、陈基、周武、徐晓龙、唐宁、何军、武爱民
中国科学院提出多模态Fe-FinFET存算一体器件与单元电路
来源: ACS Applied Materials & Interfaces合作: 张兆浩、张青竹
显示 1-5 条，共 10 条
