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专利列表
- 在审
基于全内反射的光电导开关及其制备方法
申请日: 20240307 公开日: 20250912 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
一种超宽带功率放大器
申请日: 20220629 公开日: 20250822 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
氮化镓基光电导开关及其制备方法
申请日: 20240221 公开日: 20240531 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
一种改善GaN异质结器件的栅极刻蚀损伤的结构和工艺方法
申请日: 20220601 公开日: 20231208 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管
申请日: 20211126 公开日: 20230530 申请人: 中国科学院半导体研究所
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