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专利列表

  • 稀土复合离子注入发光材料制备方法

    申请日: 20060929 公开日: 20100421 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 声子调控间接带隙半导体材料横向电注入发光器件

    申请日: 20060927 公开日: 20091021 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 硅基等电子掺杂发光器件及制作方法

    申请日: 20060918 公开日: 20090603 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 硅基稀土掺杂电致发光器件

    申请日: 20061025 公开日: 20080430 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 制备硅基带边发光以及非线性电光材料的方法

    申请日: 20061027 公开日: 20080430 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
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科研动态

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  • 中国科学院提出并验证纳米硅/氧化硅体系发光机制的新理论模型

    来源: 物理评论快报;物理评论合作: 秦国刚、贾勇强、李宇杰、Fauchet、Allan、Delerue、王启明、葛惟昆

    2005-11-01
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