和致经
中国科学院半导体研究所
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和致经来自中国科学院半导体研究所,专利20件。擅长半导体制造、金属层、图纹光刻技术、印刷电路制造。最擅长半导体制造。排名在TOP6。一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法是存续时间最长的专利。与中科芯未来微电子科技成都有限公司合作5次,与刘新宇合作14次。
中国科学院半导体研究所
和致经来自中国科学院半导体研究所,专利20件。擅长半导体制造、金属层、图纹光刻技术、印刷电路制造。最擅长半导体制造。排名在TOP6。一种制作氮化镓基场效应晶体管的方法是存续时间最长的专利。与中科芯未来微电子科技成都有限公司合作5次,与刘新宇合作14次。
申请日: 20140418 公开日: 20140716 申请人: 中国科学院微电子研究所
申请日: 20070907 公开日: 20100915 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日: 20071212 公开日: 20100414 申请人: 中科芯未来微电子科技成都有限公司
申请日: 20071017 公开日: 20100317 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日: 20060922 公开日: 20090603 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司