丁武昌

中国科学院微电子研究所

最多合作专家金智

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丁武昌来自中国科学院微电子研究所，专利12件。擅长半导体制造、计算机辅助设计、放大元件。最擅长半导体制造，一种适用于划片后分立器件的提参建模方法是存续时间最长的专利。与金智合作11次。

历年科研重点

半导体制造放大元件半导体器件细节 H01L29 电子管半导体放大计算机辅助设计生物模型计算非正弦倍分频振荡有源网络双极结型晶体管电性能及故障测

技术领域排名

专利列表

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产研合作关联

与金智的合作详情

共 11 项合作记录

双二阶低通滤波器以及高频有源无电感低通滤波电路

20231228

CN202311845721.8

一种小信号等效电路的提参方法和系统

20230809

CN202310998534.7

一种分布式放大器及通信装置

20230328

CN202310318630.2

一种半导体器件结构及其制造方法、高电子迁移率晶体管

20210310

CN202110261627.2

一种适用于划片后分立器件的提参建模方法

20210125

CN202110109527.8

一种异构集成HEMT器件结构

20190802

CN201910713554.9

硅基异构集成材料及其制备方法、半导体器件

20190801

CN201910708203.9

一种异构集成射频放大器结构

20190801

CN201910708220.2

一种高效晶体硅异质结太阳能电池的制备方法

20130423

CN201310142935.9

一种石墨烯径向异质结太阳能电池及其制备方法

20130410

CN201310122729.1

一种高效异质结太阳能电池及其制备方法

20130410

CN201310123496.7