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专利列表
- 有效
一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜
申请日: 20161125 公开日: 20170627 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 失效
一种控制碲镉汞刻蚀诱导电学反型层厚度的方法
申请日: 20161125 公开日: 20170531 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 失效
一种可自动控制成形终点的碲镉汞刻蚀掩膜及其去除方法
申请日: 20161125 公开日: 20170222 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 有效
一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极及制备方法
申请日: 20111110 公开日: 20130710 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
- 失效
一种用于光伏型碲镉汞探测器的延展电极
申请日: 20111110 公开日: 20120808 申请人: 中国科学院上海技术物理研究所
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