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专利列表
- 有效
一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法
申请日: 20220907 公开日: 20260306 申请人: 中国科学技术大学
- 有效
氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺
申请日: 20230428 公开日: 20251216 申请人: 中国科学技术大学
- 在审
光电存储器及其制备方法、调制方法
申请日: 20250430 公开日: 20250725 申请人: 中国科学技术大学
- 在审
同质衬底生长掺杂氧化镓薄膜的方法及光电探测器
申请日: 20250418 公开日: 20250711 申请人: 中国科学技术大学
- 在审
氧化镁衬底生长掺杂氧化镓薄膜的方法及光电探测器
申请日: 20250418 公开日: 20250708 申请人: 中国科学技术大学
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科研动态
中国科学技术大学在氧化镓功率器件性能优化方面取得系列进展
来源: IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs合作: 龙世兵、郑柘炀、徐光伟、刘金杨、郝伟兵、韩照、刘琦
中国科学技术大学发表五项氧化镓功率器件性能优化研究成果
来源: IEEE ISPSD合作: 郑柘炀、徐光伟、刘金杨、郝伟兵、韩照、刘琦
中国科学技术大学研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
来源: Applied Physics Letters;IEEE Electron Device Letters合作: 龙世兵、徐光伟、张晓东、马永健
中国科学技术大学研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
来源: Applied Physics Letters;IEEE Electron Device Letters合作: 龙世兵、徐光伟、张晓东、马永健
中国科学技术大学成功制备出高耐压氧化镓异质结二极管和增强型氧化镓场效应晶体管。
来源: IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs;Applied Physics Letters;IEEE Transactions on Electron Devices合作: 龙世兵、徐光伟、郝伟兵
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