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专利列表
- 在审
一种基于悬空过渡金属二硫属化物的高发光效率双栅极发光二极管及其制备方法
申请日: 20250328 公开日: 20250812 申请人: 东南大学
- 在审
一种范德华高亮度片上可集成发光二极管及其制备方法
申请日: 20250328 公开日: 20250812 申请人: 东南大学
- 在审
一种大面积单晶二维MoO薄膜的制备方法及其应用
申请日: 20250328 公开日: 20250801 申请人: 东南大学
- 在审
基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制法
申请日: 20240103 公开日: 20241015 申请人: 东南大学
- 在审
一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法
申请日: 20240510 公开日: 20240816 申请人: 东南大学
科研动态
东南大学提出氧等离子体插层技术抑制二维材料发光效率滚降
来源: Nature Electronics合作: 倪振华、吕俊鹏、章琦、王世选
东南大学实现室温外量子效率超过10%的范德华发光二极管
来源: Science Advances合作: 倪振华、吕俊鹏、刘宏微、周鹏、胡振良
东南大学提出原子取代构建渐变能带结构策略，实现二维范德华异质结I型到III型能带精准调控
来源: Advanced Materials合作: 倪振华、吕俊鹏、魏钟鸣、郭丁立、张贵涛、赵蓓、陈乾
北京理工大学利用银解理技术实现二维半导体荧光增强
来源: Advanced Science合作: 黄元、王业亮、倪振华、吕俊鹏、季威、戴佳琪
