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专利列表
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氧化镓表面处理方法、半导体器件加工工艺、半导体器件
申请日: 20251011 公开日: 20260403 申请人: 中国科学技术大学
- 有效
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路
申请日: 20251217 公开日: 20260317 申请人: 中国科学技术大学
- 有效
一种垂直型氧化镓晶体管及其制备方法
申请日: 20220907 公开日: 20260306 申请人: 中国科学技术大学
- 有效
氧化镓整流器和制作工艺、氧化镓整流器结构和制作工艺
申请日: 20230428 公开日: 20251216 申请人: 中国科学技术大学
- 有效
光电探测器及利用其探测目标光源的探测方法
申请日: 20221206 公开日: 20251031 申请人: 中国科学技术大学
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科研动态
中国科学技术大学在氧化镓功率器件性能优化方面取得系列进展
来源: IEEE International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs合作: 龙世兵、郑柘炀、刘金杨、郝伟兵、韩照、周选择、刘琦
中国科学技术大学发表五项氧化镓功率器件性能优化研究成果
来源: IEEE ISPSD合作: 郑柘炀、刘金杨、郝伟兵、韩照、周选择、刘琦
中国科学技术大学研制出高耐压低损耗低漏电氧化镓二极管和垂直型GaN-on-GaN功率二极管
来源: IEEE ISPSD 2023合作: 龙世兵、郝伟兵、杜佳宏、杨树
中国科学技术大学研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
来源: Applied Physics Letters;IEEE Electron Device Letters合作: 龙世兵、张晓东、周选择、马永健
中国科学技术大学研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管
来源: Applied Physics Letters;IEEE Electron Device Letters合作: 龙世兵、张晓东、周选择、马永健
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