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专利列表
- 有效
一种碲化铋基热电器件的界面阻挡层及其制备方法和应用
申请日: 20241223 公开日: 20251226 申请人: 浙江大学
- 有效
ZrCoSb基Half-Heusler热电材料的电极、热电器件及制备方法和应用
申请日: 20211228 公开日: 20251118 申请人: 浙江大学
- 在审
一种具有本征空位缺陷的半赫斯勒热电材料及其制备方法和应用
申请日: 20241230 公开日: 20250506 申请人: 浙江大学温州研究院
- 在审
一种锡掺杂的高功率密度银锑碲热电材料、制备方法及其应用
申请日: 20240723 公开日: 20241108 申请人: 浙江大学温州研究院
- 有效
一类钴基全赫斯勒合金材料其制备方法和多晶体器件
申请日: 20230419 公开日: 20240723 申请人: 浙江大学
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科研动态
浙江大学首次观察到半赫斯勒窄禁带半导体材料的压电效应并制备了原型器件
来源: 《科学》合作: 付晨光、黄玉辉、黄奕、吕福、韩屾、李飞、吴迪
上海大学联合浙江大学证实异价掺杂对重带热电材料声子结构的强烈调制作用
来源: Nature Physics合作: 杨炯、付晨光、韩屾、戴胜男、马杰
安徽大学在原子尺度观察到以原子位移为主导的短程有序结构
来源: Nanoscale合作: 葛炳辉、南鹏飞、林芳、贺健
中国科学院提出反向设计策略实现热电器件高转换效率和高功率密度
来源: Joule合作: 陈立东、柏胜强、邢云飞、刘睿恒
中国科学院上海硅酸盐研究所实现半赫斯勒热电材料宏量制备与器件效率突破
来源: J. Mater. Chem. A;Energy & Environmental Science合作: 陈立东、柏胜强、刘睿恒、邢云飞
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