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专利列表
- 在审
基于准单晶钝化的低表面陷阱态GaN HEMT器件及其制备方法
申请日: 20251124 公开日: 20260317 申请人: 西安电子科技大学
- 有效
一种多层钝化凹槽栅MIS-HEMT器件及其制备方法
申请日: 20220221 公开日: 20260306 申请人: 西安电子科技大学广州研究院
- 有效
一种GaN HEMT功率半桥电路系统
申请日: 20230223 公开日: 20260227 申请人: 西安电子科技大学
- 在审
一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路
申请日: 20251024 公开日: 20260206 申请人: 西安电子科技大学
- 在审
带有GaN插入层的增强型HEMT器件、制备方法、芯片及设备
申请日: 20251208 公开日: 20260106 申请人: 西安电子科技大学广州研究院
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