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专利列表
- 有效
一种提高短路耐受能力的功率MOSFET器件结构
申请日: 20241014 公开日: 20260213 申请人: 西安交通大学
- 有效
一种基于超临界流体技术的Ni/NiO欧姆接触改善方法
申请日: 20220429 公开日: 20251223 申请人: 西安交通大学
- 有效
一种基于超临界流体的高质量氮化硅介质钝化层处理工艺
申请日: 20220228 公开日: 20251219 申请人: 西安交通大学
- 在审
碳化硅MOSFET器件
申请日: 20250603 公开日: 20251028 申请人: 西安交通大学
- 在审
一种无损汞探针测试装置
申请日: 20240914 公开日: 20250107 申请人: 西安交通大学
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