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专利列表
- 在审
基于透射电镜中测试待测器件单元的电学测试系统及方法
申请日: 20251211 公开日: 20260320 申请人: 华东师范大学
- 在审
一种自修复芯片及其制备方法
申请日: 20251205 公开日: 20260317 申请人: 深圳市北测检测技术有限公司
- 有效
一种铪基铁电薄膜氧缺陷含量控制方法
申请日: 20241209 公开日: 20251226 申请人: 华东师范大学
- 有效
一种采用自组装制备硫系超晶格相变材料薄膜的方法
申请日: 20251013 公开日: 20251216 申请人: 华东师范大学
- 有效
一种机器学习识别纳米器件中多晶薄膜的晶相分布的方法
申请日: 20221129 公开日: 20250805 申请人: 华东师范大学
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科研动态
上海微系统所揭示偶极有序引导阈值转变新机制
来源: Nature Communications合作: 宋文雄、时光洁、胡奇、宋志棠、宋三年、刘利民、朱凡、陈莹、Cheol Seong Hwang、Gilberto Teobaldi、Sergiu Clima
华东师范大学揭示铪基铁电电容后端工艺热预算性能退化机理并提出恢复策略
来源: IEEE国际电子器件会议（IEDM）合作: 郑赟喆、赵戚文冬、高兆猛
华东师范大学提出全新铁电畴翻转机制
来源: Science合作: 吴宇宁
华东师范大学通过原位交变电场调控铁电相极轴取向提升器件极化性能
合作: 高兆猛、辛天骄、吕杭炳
【华东师范大学】首次利用机械力调控单层GeSe产生二维Janus极化状态
来源: Advanced Materials合作: 钟妮、关赵、童文旖、郑赟喆、褚君浩、段纯刚、向平华、黄荣、陈斌斌、魏钟鸣
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