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专利列表
- 有效
一种GaN晶体管加工用点胶装置
申请日: 20250328 公开日: 20260331 申请人: 瑞森半导体科技（湖南）有限公司
- 在审
P型锡氧化物薄膜、薄膜晶体管和反相器电路及其制备方法
申请日: 20251203 公开日: 20260224 申请人: 湖南大学
- 在审
一种宽线性增益范围的可变增益放大器及工作方法
申请日: 20251029 公开日: 20260123 申请人: 湖南大学
- 在审
一种氧化物半导体靶材粉体及其制备方法和半导体靶材、氧化物半导体薄膜及薄膜晶体管
申请日: 20251021 公开日: 20260116 申请人: 湖南大学
- 在审
一种基于沟道载流子的2D FET的紧凑模型的构建方法
申请日: 20251030 公开日: 20260116 申请人: 长沙半导体技术与应用创新研究院
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科研动态
湖南大学提出单晶金属原位分步蒸镀技术，实现原子级有序金属制备
来源: Science合作: 柳畅、王旭东、Lain-Jong Li、王建禄、褚君浩、刘渊、邹旭明
提出基于Ω栅极单晶氧化铟FET的纳秒级2T0C DRAM单元
来源: Science Advances合作: 刘兴强、何鹏辉
武汉科技大学研制新型忆阻器实现存算一体低功耗
来源: Nature Communications合作: 万达、李晨飞
湖南大学创新混合补偿技术，研制出亚ppm级高精度电压基准芯片
来源: IEEE Journal of Solid-State Circuits合作: 陈卓俊、吕文召
湖南大学提出超薄极性势垒策略构建异质结探测器，并提出视觉融合策略构建仿真视觉系统
来源: Nature Communications;National Science Review合作: 邹旭明、吕亚威、洪庆辉、柴扬
