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专利列表
- 在审
一种二维材料的自动化无损伤转移装置及转移方法
申请日: 20251112 公开日: 20260327 申请人: 中国科学院金属研究所
- 有效
一种低熔点金属辅助的二维材料无损转移方法
申请日: 20221201 公开日: 20260320 申请人: 中国科学院金属研究所
- 有效
一种高质量石墨烯导热导电膜的制备方法
申请日: 20221026 公开日: 20260320 申请人: 中国科学院金属研究所
- 有效
一种大尺寸高质量三维六方氮化硼网络的制备方法
申请日: 20231113 公开日: 20260320 申请人: 中国科学院金属研究所
- 在审
一种导热复合材料的绝缘包边方法
申请日: 20251229 公开日: 20260310 申请人: 中国科学院金属研究所
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科研动态
中国科学院金属所实现高性能p型二维半导体MoSi2N4单晶晶圆制备
来源: 自然·材料;Nature Materials合作: 孙素、徐川、刘新风、朱梦剑、姜开利、刘开辉
国防科技大学实现晶圆级掺杂可调WSi2N4薄膜可控生长
来源: 国家科学评论合作: 朱梦剑、徐川
中国科学院发明微液膜电解方法实现均一单层氧化石墨烯的工业化连续制备
来源: Nature Communications合作: 裴嵩峰、郭佳琪
中国科学院发明微液膜电解方法实现均一单层氧化石墨烯的工业化连续制备
来源: Nature Communications合作: 裴嵩峰、郭佳琪
中国科学院金属研究所发明基于石墨烯和锗的热发射极晶体管
来源: 《自然》（Nature）合作: 刘驰、孙东明、成会明、张立宁、王鑫哲、杨绪起、孔越、梁艳、马来鹏、沈聪
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