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专利列表
- 有效
一种基于铁电半导体沟道和反铁电栅介质的高耐久FeFET及其制备方法
申请日: 20241018 公开日: 20260217 申请人: 北京大学
- 在审
一种双界面层优化的铁电场效应晶体管及其制备方法
申请日: 20251016 公开日: 20260106 申请人: 北京大学
- 有效
一种带有微加热器的高耐久FeNAND器件及其制备方法
申请日: 20241230 公开日: 20251031 申请人: 北京大学
- 有效
一种铁电场效应晶体管阵列的写入方法
申请日: 20241118 公开日: 20251024 申请人: 北京大学
- 有效
基于异或迭代的物理不可克隆函数PUF电路及其操作方法
申请日: 20241224 公开日: 20251024 申请人: 北京大学
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