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专利列表
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紫外光电探测器及其制备方法
申请日: 20250107 公开日: 20250523 申请人: 华南师范大学
- 有效
一种铁电光伏器件及其制备方法
申请日: 20191118 公开日: 20230530 申请人: 华南师范大学
- 有效
一种铁电二极管储存器及其制备方法
申请日: 20191118 公开日: 20221206 申请人: 华南师范大学
- 失效
一种高耐压低漏电的硅基AlN电容器及其制备方法
申请日: 20210712 公开日: 20211130 申请人: 华南师范大学
- 失效
一种高介电常数高Q值的AlN介质薄膜及其制备方法
申请日: 20200703 公开日: 20201120 申请人: 华南师范大学
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科研动态
中国科学院金属研究所实验发现纤锌矿型α-In2Se3窄带隙二维铁电半导体
来源: Nature Communications合作: 胡卫进、杨腾、江余璇、宁兴坤、刘仁辉、宋克鹏、Sajjad Ali、秦成兵、薛飞、Lain-Jong Li
中国科学院金属研究所实验发现窄带隙二维铁电半导体纤锌矿型α-In2Se3
来源: Nature Communications合作: 胡卫进、杨腾、江余璇、宁兴坤、刘仁辉、宋克鹏、Sajjad Ali、秦成兵、薛飞、Lain-Jong Li
中国科学院金属研究所发现界面元素扩散调控铁电单畴实现高性能类神经突触器件
来源: 先进功能材料合作: 胡卫进、杨腾、唐云龙、王宇佳
中国科学院发现界面元素扩散调控铁电单畴实现高性能类神经突触器件
来源: 先进功能材料合作: 胡卫进、杨腾、唐云龙、王宇佳
