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专利列表

  • 具有外加磁场的深能级瞬态谱样品台装置及其测量方法

    申请日: 20051228 公开日: 20100512 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 探测GaAsN半导体合金材料能带结构高阶临界点的方法

    申请日: 20051228 公开日: 20090422 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 具有外加磁场的深能级瞬态谱测量装置与测量方法

    申请日: 20040922 公开日: 20071212 申请人: 中国科学院半导体研究所

    失效
  • 电流变液

    申请日: 20030905 公开日: 20060830 申请人: 香港科技大学(广州)

    失效
  • 平面带隙材料

    申请日: 20021025 公开日: 20050202 申请人: 香港科技大学(广州)

    失效
显示 1-5 条,共 7 条

科研动态

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  • 北京大学通过结构设计调控自旋弛豫时间,为GaN基自旋场效应晶体管奠定基础

    来源: Advanced Science合作: 刘星辰、唐宁、沈波、姬扬

    2020-06-01
  • 中国科学院提出并验证纳米硅/氧化硅体系发光机制的新理论模型

    来源: 物理评论快报;物理评论合作: 秦国刚、贾勇强、李宇杰、Fauchet、Allan、Delerue、王启明、王晓欣

    2005-11-01
  • 北京科技成果转化智能服务平台 北京市官方认证公益技术转移平台
  • 电话:010-64850580 (工作日 9:00-17:30)
  • 商务:18519880020 (工作日 9:00-17:30)
  • 邮箱:zhuanguoguo@bstig.cn
  • 单位:北京首发展智能科技有限公司
  • 地址:北京市朝阳区安翔北里甲11号‌‌北京创业大厦B座18楼
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