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专利列表
- 在审
基于EUV散射谱的纳米结构形貌参数反演方法和系统
申请日: 20251231 公开日: 20260403 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种考虑网格依赖性的光学临近效应修正方法及系统
申请日: 20260126 公开日: 20260403 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种快照式自动光学显微缺陷检测系统和检测方法
申请日: 20251224 公开日: 20260331 申请人: 上海精测半导体技术有限公司
- 有效
一种快照式套刻误差测量方法及系统
申请日: 20221111 公开日: 20260327 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种纳米图案的超分辨率成像或缺陷检测的装置及方法
申请日: 20251231 公开日: 20260327 申请人: 华中科技大学
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科研动态
华中科技大学在超高数值孔径下将相干衍射成像分辨率逼近阿贝衍射极限
来源: Light: Science & Applications合作: 谷洪刚
华中科技大学首创虚拟边界条件技术降低大规模电磁场模拟内存占用
来源: Communications Physics合作: 何玭炫、刘佳敏、谷洪刚、江浩
华中科技大学提出共轭结构光场显微镜实现晶圆深亚波长缺陷定位与分类
来源: ACS Photonics合作: 朱金龙、张劲松
华中科技大学首次发现反常光电化学刻蚀效应
来源: Nature Communications合作: 彭攀、朱金龙、高亮
华中科技大学提出具有20级中间态的像素化可编程光子芯片
来源: International Journal of Extreme Manufacturing合作: 朱金龙、陈文宇
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