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专利列表
- 在审
具有亚1纳米栅极长度的碳纳米管环栅场效应晶体管
申请日: 20251114 公开日: 20260210 申请人: 华东师范大学
- 在审
一种针对SiGe外延生长的跨尺度多物理场仿真方法
申请日: 20251104 公开日: 20260210 申请人: 华东师范大学
- 在审
一种支持多源波动耦合的半导体器件工艺波动仿真方法
申请日: 20251105 公开日: 20260206 申请人: 华东师范大学
- 在审
基于忆阻器镜像堆叠的异或门逻辑器件及制备、使用方法
申请日: 20250930 公开日: 20260123 申请人: 华东师范大学
- 在审
一种基于RRAM的堆叠型单器件及其实现2-bit向量乘积的方法
申请日: 20250930 公开日: 20260116 申请人: 华东师范大学
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