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专利列表
- 有效
二维半导体-金属欧姆接触结构、制备方法及应用
申请日: 20220429 公开日: 20260317 申请人: 南京大学
- 在审
硫源供给装置、方法、TMDC薄膜的制备系统及制备方法
申请日: 20251231 公开日: 20260313 申请人: 南京大学
- 在审
图案化二维过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法
申请日: 20251111 公开日: 20260210 申请人: 南京大学
- 在审
一种适用于二维半导体集成电路的预构建金属互连结构及其制造方法
申请日: 20250902 公开日: 20251212 申请人: 南京大学
- 在审
一种三行标准单元布局结构
申请日: 20250902 公开日: 20251205 申请人: 南京大学
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科研动态
揭示过渡金属硫族化合物大面积原子级重构相变机制
来源: Nature Materials合作: 张荣、王学锋、周武、杨腾、高峻峰、陈中强、时金安、黄建啟、常远、施毅、金飚兵、宋凤麒、徐永兵、何亮、郝玉峰、奚啸翔、丁峰
开发oxy-MOCVD技术实现二维半导体量产化制备
来源: Science合作: 刘蕾、王玉树、董瑞康、范东旭、李涛涛、王金兰、施毅
东南大学攻克6英寸过渡金属硫化物二维半导体单晶量产核心技术
来源: Science合作: 王金兰
开发锑晶体外延接触技术，研制出1纳米节点高性能二硫化钼晶体管
来源: Nature Electronics合作: 李卫胜、杜明奕、施毅、许建斌
东南大学实现二维PtSe2晶体管原子级界面构筑并演示射频通信功能
来源: Advanced Functional Materials;Nature Electronics合作: 陶立、陆卫兵、孙立涛、李卫胜、王哲涵、吴嫣玲、刘熠辰
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