郝跃

西安电子科技大学教授

0专利总数
0许可专利
0转让专利
0第一发明人
0合作企业

中国科学院院士,微电子学专家,西安电子科技大学微电子学院教授、博士生导师。1958年3月生于重庆市。长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养,在氮化镓/碳化硅第三代半导体材料与器件、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理等方面取得系统性创新成果。主持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家自然科学基金等项目;发表论文200余篇,其中SCI 180余篇,被他引600余次,专著3本。

工作经历

  • 1982年入职西安电子科技大学
  • 1993年,任西安电子科技大学教授
  • 1996年—2017年,任西安电子科技大学副校长
  • 2013年,当选中国科学院院士
  • 现任西安电子科技大学微电子学院教授、集成电路学部主任

教育背景

  • 1978年—1982年,就读于西北电讯工程学院(今西安电子科技大学)半导体物理与器件专业,毕业获得学士学位
  • 1983年—1985年,就读于西安电子科技大学半导体物理专业,毕业获得硕士学位
  • 1988年—1991年,就读于西安交通大学计算数学专业,毕业获得博士学位
  • 1985年获西安电子科技大学半导体物理专业硕士学位
  • 1990年获西安交通大学计算数学专业博士学位

显示 1-5 条,共 1701 条

查看全部
显示 1-5 条,共 21 条

与 云南凝慧电子科技有限公司 的合作详情

共 31 项合作记录

绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管

20160811

CN200810232512.5

槽栅型源场板高电子迁移率器件及其制作方法

20161209

CN200810232513.X

凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件

20160811

CN200810232518.2

Г栅异质结场效应晶体管及其制作方法

20160811

CN200810232531.8

源场板高电子迁移率晶体管

20160811

CN200810232547.9

全透明AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

20170615

CN201010013536.9

AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法

20160811

CN201010120734.5

基于m面AlO衬底上半极性GaN的生长方法

20170620

CN201010155019.5

基于a面6H-SiC衬底上非极性a面GaN的MOCVD生长方法

20161206

CN201010209324.8

基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法

20170719

CN201010209325.2

基于r面AlO衬底上非极性a面GaN薄膜的MOCVD生长方法

20170112

CN201010209566.7

基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法

20161206

CN201010209567.1

深亚微米栅长AlGaN/GaN HEMT制作方法

20160810

CN201110282236.5

a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法

20161208

CN201110293524.0

基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法

20170718

CN201210005728.4

基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法

20170718

CN201210131041.5

GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

20170621

CN201210132145.8

晶体管晶格形变导致性能退化的测试装置及方法

20170626

CN201210434249.4

原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法

20161207

CN201210476552.0

AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法

20161129

CN201210476553.5

氮化镓基增强耗尽型电平转换电路

20170614

CN201310055261.9

基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法

20170721

CN201310237610.9

横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

20161130

CN201310277894.4

选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

20170725

CN201310280177.7

基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

20170714

CN201310280216.3

二次生长的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法

20170621

CN201310280220.X

加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法

20170718

CN201410025516.1

一种基于槽栅高压器件及其制作方法

20170717

CN201410033269.X

基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法

20170719

CN201410033307.1

基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法

20170714

CN201410272508.7

HEMT器件栅泄漏电流中台面泄漏电流的测试方法

20170725

CN201410319025.8