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专利列表
- 在审
一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法
申请日: 20251208 公开日: 20260320 申请人: 北京大学
- 在审
一种高均匀性的氧化物半导体沉积方法及其应用
申请日: 20251024 公开日: 20260203 申请人: 北京超弦存储器研究院
- 有效
一种基于DRAM的存内逻辑运算电路及系统
申请日: 20241024 公开日: 20251121 申请人: 华中科技大学
- 有效
一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法
申请日: 20250211 公开日: 20251118 申请人: 杭州知存算力科技有限公司
- 有效
一种镧掺杂的氧化物半导体晶体管的制备方法
申请日: 20240813 公开日: 20251031 申请人: 杭州知存算力科技有限公司
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科研动态
北京大学在二维半导体、氧化物半导体、铁电存储器及感存算融合器件取得多项性能突破
来源: 国际电子器件大会（IEDM）合作: 黄如、刘晓彦、唐克超、王润声、黄芊芊、蔡一茂
北京大学突破非晶氧化物半导体尺寸微缩瓶颈，实现高性能逻辑与存储器件
来源: Nature Nanotechnology;Nature Materials;Nature Electronics;Nature Communications;Science Advances;IEEE EDL合作: 黄如
北京大学在氧化物半导体器件性能提升和单片三维集成技术方面取得突破。
来源: Nature Materials; IEEE EDL; Science Advances合作: 黄如
