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专利列表
- 有效
AlN薄膜的制备方法及半导体元件
申请日: 20230117 公开日: 20260327 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
- 在审
一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用
申请日: 20251212 公开日: 20260324 申请人: 北京大学
- 在审
提高AlGaN基紫外发光二极管p型层的电导率的方法及应用
申请日: 20251128 公开日: 20260306 申请人: 北京大学
- 在审
一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用
申请日: 20240805 公开日: 20260210 申请人: 北京大学
- 有效
高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜
申请日: 20230803 公开日: 20260130 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
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科研动态
湖北师范大学在半导体缺陷物理光谱学领域取得系列研究进展
来源: Communications Physics;Applied Physics Letters;Physical Review Applied合作: 张仕雄、唐宁、刘美风、宋英铭、杨学林、石林
中国科学院构建GaN外延层中螺位错和刃位错的电子与空穴双通道输运模型
来源: Nature Communications合作: 姚毅旭、黄森、刘新宇、Kevin J. Chen
湖北师范大学发现静压和电场调控GaN自旋弛豫及杂质工程提升空穴迁移率
来源: Physical Review B; Applied Physics Letters合作: 张仕雄、唐宁、吴俊康、杨学林
北京大学攻克GaN基功率器件三大技术挑战并实现多项国际领先性能
来源: 国际电子器件会议（IEDM）合作: 魏进
北京理工大学提出杂化范德华外延（HVE）新生长模型
来源: Physical Review Letters合作: 胡麟、郑法伟、姚裕贵、黄兵、杨学林
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