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专利列表
- 有效
AlN薄膜的制备方法及半导体元件
申请日: 20230117 公开日: 20260327 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
- 有效
高频宽带滤波器用AlN薄膜的制备方法和AlN薄膜
申请日: 20230803 公开日: 20260130 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
- 在审
一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法
申请日: 20250911 公开日: 20260123 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
- 在审
一种外延结构及其制备方法和半导体器件
申请日: 20250820 公开日: 20260106 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
- 在审
一种高质量氮化物外延薄膜及其制备方法
申请日: 20250820 公开日: 20260102 申请人: 北京中博芯半导体科技有限公司
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科研动态
湖北师范大学在半导体缺陷物理光谱学领域取得系列研究进展
来源: Communications Physics;Applied Physics Letters;Physical Review Applied合作: 张仕雄、沈波、唐宁、刘美风、宋英铭、石林
湖北师范大学发现静压和电场调控GaN自旋弛豫及杂质工程提升空穴迁移率
来源: Physical Review B; Applied Physics Letters合作: 张仕雄、沈波、唐宁、吴俊康
北京理工大学提出杂化范德华外延（HVE）新生长模型
来源: Physical Review Letters合作: 胡麟、郑法伟、姚裕贵、黄兵、沈波
北京大学给出C杂质在GaN中替代N位的直接证据
来源: Physical Review Letters合作: 吴珊、沈波、石林、徐科、张青、戚泽明
