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专利列表
- 在审
一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用
申请日: 20251212 公开日: 20260324 申请人: 北京大学
- 在审
一种提升高Al组分n-AlGaN上金属-半导体接触电学性能的方法和应用
申请日: 20240805 公开日: 20260210 申请人: 北京大学
- 在审
一种图形化ITO/Al复合p型高反射电极及其制备方法和应用
申请日: 20240617 公开日: 20251219 申请人: 北京大学
- 有效
一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用
申请日: 20231011 公开日: 20251111 申请人: 北京大学
- 有效
一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法
申请日: 20230725 公开日: 20251017 申请人: 北京大学
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科研动态
湖北师范大学在半导体缺陷物理光谱学领域取得系列研究进展
来源: Communications Physics;Applied Physics Letters;Physical Review Applied合作: 张仕雄、沈波、刘美风、宋英铭、杨学林、石林
湖北师范大学发现静压和电场调控GaN自旋弛豫及杂质工程提升空穴迁移率
来源: Physical Review B; Applied Physics Letters合作: 张仕雄、沈波、吴俊康、杨学林
中国科学院证实反铁磁材料铬中自旋涨落可增强自旋霍尔效应
来源: 纳米快报合作: 韩秀峰、万蔡华、陆沅、房驰、S. S. P. Parkin、温振超、Satoshi Okamoto、Naoto Nagaosa
北京大学提出平面内二维横向外延技术，实现单晶2H-MoTe2薄膜在任意基底上的异质集成
来源: Nature synthesis合作: 叶堉、潘宇、Roger Guzman、陈基、周武、徐晓龙、殷华湘、何军、武爱民
北京大学提出平面内二维横向外延技术，实现任意基底上单晶2H-MoTe2薄膜合成。
来源: Nature synthesis合作: 叶堉、潘宇、Roger Guzman、陈基、周武、徐晓龙、殷华湘、何军、武爱民
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