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专利列表
- 在审
一种低功率等离子体条件下制备金属底电极的方法
申请日: 20251206 公开日: 20260306 申请人: 西安交通大学
- 有效
用于三五族半导体外延生长的图案化硅衬底的制备方法
申请日: 20220701 公开日: 20260116 申请人: 西安交通大学
- 有效
一种振动耦合双微悬臂板MEMS黏度传感器芯片及其工作方法
申请日: 20241031 公开日: 20251205 申请人: 西安交通大学
- 有效
一种多驱动模式微悬臂板阵列MEMS黏度传感器芯片及其工作方法
申请日: 20241031 公开日: 20251205 申请人: 西安交通大学
- 有效
一种高阶弯曲振动耦合阶梯微悬臂板MEMS黏度传感器芯片及其工作方法
申请日: 20241031 公开日: 20251205 申请人: 西安交通大学
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科研动态
西安交通大学制备出高性能外延钇掺杂氧化铪铁电隧道结器件
来源: ACS Nano合作: 任巍、孟昊岩、赵金燕
西安交通大学通过钌掺杂锗锑碲实现了高可靠长/短时程电子突触
来源: 信息材料合作: 任巍、王强、宋三年、蒋庄德、赵立波、张斌、王亚川
西安交通大学利用二硫化钼和铁电薄膜实现高响应度光电探测
来源: Advanced Functional Materials合作: 任巍、蒋庄德、赵立波
西安交通大学制备出基于外延铁电锆掺杂氧化铪薄膜的高性能电子突触器件
来源: Applied Materials Today合作: 任巍、王延昆、王强、蒋庄德
西安交通大学实现锗衬底上石墨烯辅助的钛酸钡薄膜高度异质外延
来源: Nature Communications合作: 代立言、任巍、李璟睿、蒋庄德、赵立波
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