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专利列表
- 在审
一种晶圆级TMDs薄膜及其制备方法
申请日: 20260126 公开日: 20260327 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种基于离子迁移型栅介层神经形态器件及应用
申请日: 20250421 公开日: 20250805 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种多晶Te薄膜及制备方法
申请日: 20250423 公开日: 20250718 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种利用离子型范德华单晶SbOCl调控二维半导体材料载流子的方法
申请日: 20250228 公开日: 20250530 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种基于自偏置栅极的可重构晶体管及其制备方法
申请日: 20250217 公开日: 20250530 申请人: 华中科技大学
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科研动态
华中科技大学在二维光电子材料与器件领域取得系列进展
来源: Nature Communications;Advanced Materials;Science Bulletin;National Science Review合作: 翟天佑、徐永善、关朋飞、李泽鑫、刘开朗、巩朋来、Mario Lanza、曾诚、李会巧、张娜、柳伟、李渊、马一然、闫永丽、易院平
华中科技大学在CdSb2Se3Br2中发现新型离子光伏效应
来源: 先进材料合作: 翟天佑、李东燕、李泽鑫、潘晨、繆峰、梁世军
华中科技大学基于CdSb2Se3Br2/WSe2异质结实现可重构高偏振比探测器
来源: 先进材料合作: 翟天佑、李东燕、李泽鑫
华中科技大学开发分离供源气相沉积法合成离子-电子耦合型二维材料
来源: Nature Communications合作: 翟天佑、许翔、陈韵欣
华中科技大学发现二维稀土Er2O2S具有室温磁致圆偏振荧光现象
来源: J. Am. Chem. Soc.合作: 翟天佑、陈萍、彭波
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