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专利列表
- 在审
超导二极管器件、其制备方法、逻辑器件和调节方法
申请日: 20250516 公开日: 20250822 申请人: 中国科学院物理研究所
- 在审
CMOS兼容衬底上无反相畴缺陷半导体材料的制备方法
申请日: 20250303 公开日: 20250530 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
N-S结构半导体/超导体异质结纳米线及其制备方法
申请日: 20240516 公开日: 20240802 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
半导体/超导体异质结纳米线交叉结构的制备方法
申请日: 20240223 公开日: 20240528 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
III-V族半导体低维结构的选区分子束外延制备方法
申请日: 20240201 公开日: 20240507 申请人: 中国科学院半导体研究所
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科研动态
北京量子信息科学研究院在二维InSb纳米片中制备超导耦合量子点并观测关键量子输运现象
来源: 纳米快报合作: 吴幸军、徐洪起、王积银、苏海天、高涵、颜世莉、张泼、赵建华
北京量子信息科学研究院揭示首阶夏皮罗台阶缺失的非拓扑机制
来源: 物理评论B合作: 吴幸军、张泼、徐洪起、苏海天、曾传昌、颜世莉、王积银、赵建华
北京量子信息科学研究院实现栅电压调控的约瑟夫森二极管效应
来源: Advanced Functional Materials合作: 颜世莉、徐洪起、王积银、罗毅、苏海天、高涵、吴幸军、赵建华
北京量子信息科学研究院制备出耦合五量子点阵列器件并揭示其高度可调性
来源: Nano Letters合作: 徐洪起、王积银、罗毅、赵建华、刘晓斐、刘志海、颜世莉、高涵、李伟杰、苏海天
中国科学院物理研究所开发了一种兼容微加工光刻技术的通用方法，实现了原子级衔接的高质量异质界面和能带弯曲调节
来源: Advanced Materials合作: 沈洁、吕力、屈凡明、刘广同、Michał P. Nowak、Paweł Wójcik、Erik Bakker、赵建华、张庆华、谷林、李国安、史小凡、林挺、杨光
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