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专利列表
- 在审
一种基于二维七原子层范德华材料的忆阻器件及其制备方法
申请日: 20251230 公开日: 20260403 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种二维简并半导体薄膜材料及其制备方法与应用
申请日: 20251020 公开日: 20260127 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种忆阻器差分双子阵列结构、卷积加速系统及应用
申请日: 20250930 公开日: 20260109 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种石墨烯基半导体二维异质结薄膜的制备方法
申请日: 20250829 公开日: 20251209 申请人: 华中科技大学
- 在审
一种石墨烯与MoS二维异质结光电探测器件
申请日: 20250829 公开日: 20251209 申请人: 华中科技大学
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科研动态
华中科技大学研发出注意力视觉传感器，实现前端选择性感知计算
来源: Nature Sensors合作: 翟天佑、欧阳德才
华中科技大学在二维光电子材料与器件领域取得系列进展
来源: Nature Communications;Advanced Materials;Science Bulletin;National Science Review合作: 翟天佑、徐永善、关朋飞、李泽鑫、刘开朗、巩朋来、Mario Lanza、曾诚、李会巧、张娜、柳伟、马一然、闫永丽、易院平、周兴
华中科技大学首创兼具性能与结构稳定性的分子晶体忆阻器
来源: Nature Nanotechnology合作: 翟天佑、秦澜浩、关朋飞、邵解烦
昆明理工大学综述锑基二维材料制备与应用进展
来源: Advanced Materials合作: 李腾、杨佳、翟天佑
华中科技大学提出二维垂直-横向混合异质结用于超灵敏光电探测和图像传感
来源: Materials Today合作: 翟天佑、张娜、赵英鹤、吴劲松、罗林保
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