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专利列表
- 在审
金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
申请日: 20251209 公开日: 20260331 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
无外腔近红外钙钛矿激光器及其制备方法
申请日: 20240710 公开日: 20251024 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
近红外钙钛矿激光器及其制备方法
申请日: 20240710 公开日: 20251024 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
基于表面等离激元的硅基半导体激光器
申请日: 20221114 公开日: 20250718 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
基于卤化物钙钛矿材料的气敏探测器及其制备方法
申请日: 20231227 公开日: 20250704 申请人: 中国科学院半导体研究所
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