杨华

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集成电路光电子新一代信息技术
专利数量:112
所在机构:中国科学院半导体研究所
个人信息介绍

个人简历

1. 个人综述

  • 介绍:杨华,中国科学院半导体研究所研究员,光电子材料与器件重点实验室副主任,主要研究方向为硅光技术与应用、新型光电子器件与集成技术研究、新型光电子材料研究。从事高频光电子器件、单片集成和异质集成的研究及产业化工作。

2. 个人背景与教育经历

  • 出生年月:1968年11月
  • 教育背景:2000年本科毕业于清华大学物理系;2004年硕士毕业于北京大学物理系凝聚态物理专业;2006年博士毕业于中国科学院半导体研究所微电子与固体电子学专业。
  • 工作履历:2006年至2008年在新加坡南洋理工大学电子与电气工程学院从事博士后研究工作;2008年至2021年于爱尔兰科克大学丁达尔国家研究所任永久职位高级研究员;2018年至2022年于洛克利光子有限公司担任高级研发经理;2023年加入中国科学院半导体研究所光电子材料与器件重点实验室。

3. 研究方向与技术领域

  • 研究方向:硅光技术与应用、新型光电子器件与集成技术研究、新型光电子材料研究。
  • 技术热词:硅光技术,高速硅光模块,硅基光源,单片及异质集成,微转印技术,新型半导体光电子材料。

4. 主要学术成果与贡献

  • 研究成果综述
    • 在高频光电子器件、单片集成和异质集成的研究及产业化方面取得了显著的成果。
    • 主持多项国家及中国科学院的重大科研项目,并在国际期刊和国际会议论文集中发表了多篇论文和多项实用技术的发明专利。
  • 代表性论文
    • High performance micro transfer printed silicon photonic DBR laser, 2023, 49th European Conference on Optical Communications (ECOC 2023)
    • An Integrated Dual Optical Frequency Comb Source, 2020, Optics Express
    • Study on the proximity of QWI in InP-based AlInGaAs MQWs using the IFVD method and its application in single frequency teardrop laser diodes, 2020, Optics Express
  • 出版著作
  • 科研项目及成果

5. 学术荣誉与社会兼职

  • 获奖信息
    • 2012年,获北京市科技奖一等奖,因《高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术》。
    • 2013年,获中华农业科技奖二等奖,因《植物LED光环境精准调控及节能高效生产技术研究与应用》。
    • 2024年,获第十八届中国青年科技奖。
  • 社会职务及任期
    • 光电子材料与器件重点实验室副主任。

6. 团队建设与人才培养

  • 在爱尔兰科克大学丁达尔国家研究所任职期间,曾指导多名博士、硕士研究生的毕业论文。
  • 加入中国科学院半导体研究所后,继续担任博士生导师,致力于培养高层次的光电子材料与器件领域人才。

7. 科技成果转化与产业应用

  • 研究成果的产业化方式及应用案例
    • 硅光技术和高频光电子器件研究成果在光通信、数据中心、云计算等领域发挥了重要作用。
    • 在洛克利光子有限公司担任高级研发经理期间,主要负责硅基光模块的研发工作,并攻关微转印异质集成技术,取得了硅基集成光源技术的关键性进展。
  • 政府及企业的合作项目
    • 参与多项国家及中国科学院的重大科研项目。
    • 与学术界和工业界之间建立了广泛的合作关系。
专利列表成果列表
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