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专利列表
- 在审
一种光学膜结构及电子设备
申请日: 20240312 公开日: 20250912 申请人: 华为技术有限公司
- 在审
一种复相高温陶瓷纳米纤维毡及其制备方法
申请日: 20250526 公开日: 20250905 申请人: 清华大学
- 有效
电子束检测装置及检测方法
申请日: 20201217 公开日: 20250902 申请人: 清华大学
- 有效
二次电子探头及二次电子探测器
申请日: 20201217 公开日: 20250722 申请人: 清华大学
- 在审
一种高均匀性片上加热装置
申请日: 20231228 公开日: 20250701 申请人: 北京振兴计量测试研究所
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科研动态
中国科学院金属所实现高性能p型二维半导体MoSi2N4单晶晶圆制备
来源: 自然·材料;Nature Materials合作: 孙素、徐川、任文才、刘新风、朱梦剑、刘开辉
北京大学提出并验证了利用范霍夫奇点实现亚阈值摆幅突破玻尔兹曼极限的晶体管新结构
来源: ACS Nano合作: 司佳、张志勇、何百哲、刘飞、金传洪、裴天、卢晓波
北京大学首次实现内建电场调控的量子干涉效应并观察到FP干涉增强的AB效应
来源: Physical Review Letters合作: 张志勇、康宁、王音
北京大学首次实现内建电场调控的量子干涉效应并观察到FP干涉增强的AB效应
来源: 物理评论快报合作: 张志勇、康宁、王音
清华大学发现碳纳米管垂直阵列具有接近100%的电子吸收系数
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