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专利列表
- 有效
多孔硅的氧化方法
申请日: 20250508 公开日: 20260320 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
绝缘硅上锗结构衬底的键合方法
申请日: 20230111 公开日: 20260213 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品
申请日: 20251029 公开日: 20260213 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
空穴线性Rashba自旋轨道耦合效应的增强方法
申请日: 20220128 公开日: 20260127 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
一种硅电子自旋量子比特器件及其制备方法
申请日: 20250922 公开日: 20260109 申请人: 中国科学院半导体研究所
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科研动态
中国科学院半导体研究所揭示半导体界面费米能级钉扎新机制
来源: 自然·通讯合作: 李树深、向姿颖
中国科学院提出光子-声子耦合空间相干模型解释层状半导体材料拉曼禁戒声子模
来源: 物理评论快报合作: 谭平恒、林妙玲、管闪、汪林望、Andrea C Ferrari
中国科学院半导体研究所提出通过拉升原子键降低化学键强度实现光学声子软化的新理论
来源: Nature合作: 魏苏淮、曹茹月、杨巧林、邓惠雄、John Robertson
湖南师范大学揭示铜基半导体强非简谐效应起源及卤化物钙钛矿稳定性调控机制
来源: SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy合作: 杨凯科、邓惠雄、魏苏淮
中国科学院半导体研究所揭示光致电荷密度波相变中相干振荡阻尼的微观机理
来源: Science Advances;PNAS;Matter;PRB;Phys. Rev. Lett合作: 汪林望、刘文浩、顾宇翔
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