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专利列表

  • 用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件

    申请日: 20120106 公开日: 20160427 申请人: 北京天科合达半导体股份有限公司

    有效
  • 一种硼掺杂石墨烯的制备方法

    申请日: 20131111 公开日: 20151125 申请人: 中国科学院物理研究所

    有效
  • 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺

    申请日: 20121102 公开日: 20151118 申请人: 北京天科合达半导体股份有限公司

    有效
  • 一种用于二维层状纳米材料的方向可控单轴应变施加装置

    申请日: 20130514 公开日: 20150916 申请人: 中国科学院物理研究所

    有效
  • 半绝缘碳化硅单晶

    申请日: 20101231 公开日: 20150527 申请人: 北京天科合达半导体股份有限公司

    有效
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科研动态

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  • 中国科学院物理研究所设计并验证了可实现超高隔离度的拓扑微波隔离器

    来源: Nature Photonics合作: 陆凌

    2025-01-13
  • 中国科学院物理研究所发现首个三元锰基化合物超导体系

    来源: Phys. Rev. Lett.; Chin. Phys. Lett.合作: 程金光、雒建林、刘子儀、杨芃焘、单鹏飞、王铂森、董庆新、陈根富、赵忠贤、董晓莉、孙建平、顿志凌、Yoshiya Uwatoko、曹光旱、陈小龙

    2022-05-15
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