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专利列表
- 有效
垂直腔面发射激光器及其制备方法
申请日: 20230227 公开日: 20260206 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
基于激光辅助横向外延的半导体材料及其制备方法
申请日: 20230118 公开日: 20251212 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
用于深紫外光路中的杂散光抑制系统
申请日: 20241224 公开日: 20251024 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 在审
金刚石衬底加工方法
申请日: 20250613 公开日: 20250919 申请人: 中国科学院半导体研究所
- 有效
材料生长参数的调整方法及装置
申请日: 20240306 公开日: 20250822 申请人: 中国科学院半导体研究所
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科研动态
中国科学院半导体研究所开发出高能粒子环境下性能优异的量子点激光器
来源: Laser & Photonics Reviews; Applied Physics Reviews合作: 赵超、李曼阳、潘淑洁、段嘉楠、靳志勇、陈思铭、徐波、金潮渊、俞金玲
中国科学院半导体研究所采用激光切割图案化工艺实现2英寸异质外延自支撑金刚石单晶制备
合作: 金鹏
中国科学院半导体研究所发展出范德华外延制备量子点材料的新方案
来源: Nature Synthesis合作: 刘峰奇、辛凯耀、李利安、周子琦、翟慎强、魏钟鸣、刘灿、刘开辉、张锦川、刘俊岐、邓惠雄
中国科学院半导体研究所实现基于机器学习和原位反馈控制的III-V族半导体外延
来源: 自然-通讯;美国化学学会应用材料与界面合作: 赵超、沈超、占文康、薛春来、魏钟鸣、徐波
