1.一种双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，包括介质层，在所述介质层上设置有结构层；所述结构层包括从外向内设置在同一平面的金属边框、感应区及谐振区；其中，所述金属边框与所述感应区之间具有间隔；所述感应区包括环向间隔设置的四个L形感应条带，L形感应条带的长臂分别沿水平方向和竖直方向设置；在所述L形感应条带水平方向的间隔处设置有水平非线性器件，在所述L形感应条带竖直方向的间隔处设置有竖向非线性器件；通过所述水平非线性器件、所述竖向非线性器件将各所述L形感应条带电连接；在所述谐振区中，按象限分布的方式设置有四个二进制编码矩阵，对所述二进制编码矩阵进行编码，以独立调控TE极化与TM极化电磁波的响应特性。
2.根据权利要求1所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，四个二进制编码矩阵以中心旋转对称的方式排布。
3.根据权利要求2所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，四个L形感应条带分别与四个二进制编码矩阵位置对应；所述L形感应条带位于所述二进制编码矩阵的外围，且所述L形感应条带的内角朝向所述二进制编码矩阵。
4.根据权利要求3所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，所述L形感应条带的两个长臂长度分别与二进制编码矩阵的长度、宽度相匹配。
5.根据权利要求1至4任一项所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，在所述二进制编码矩阵中，以设置金属贴片的方式进行编码。
6.根据权利要求5所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，所述二进制编码矩阵为阶数大于或等于4的方阵。
7.根据权利要求5所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，所述金属贴片为正方形，边长取值范围为1.050mm~1.225mm。
8.根据权利要求1至4任一项所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，所述水平非线性器件与所述竖向非线性器件采用肖特基二极管或PIN二极管。
9.根据权利要求1至4任一项所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，所述介质层的介电常数为4.4，厚度为0.508 mm。
10.根据权利要求1至4任一项所述的双极化的C波段能量选择表面，其特征在于，所述L形感应条带的宽度取值范围为0.4mm~0.8mm。
