一种元素组分调节的耗尽型和增强型ScAlN/GaN基HEMT的制备方法

本发明公开了一种元素组分调节的耗尽型和增强型ScAlN/GaN基HEMT的制备方法，属于半导体器件领域。本发明利用Sc组分调控ScAlN自发极化和压电极化，实现了对ScAlN/GaN异质结二维载流子的调节，从而在同一技术路线下实现耗尽型和增强型GaN基HEMT器件。本发明仅需调整ScAlN势垒层的Sc组分，即能够选择制备电子或空穴导电的耗尽型HEMT以及增强型HEMT器件，生产技术简单。本发明的耗尽型ScAlN/GaN基HEMT器件能够实现更高浓度二维载流子浓度，能够被用于大功率电路领域。本发明的增强型ScAlN/GaN基HEMT的工艺流程大大简化，器件制备难度低，可靠性更好；同时因工艺步骤少，不同阶段对器件结构的损伤更小，有效提升了器件良率。