1.一种金刚石异质结构制孔方法，其特征在于，所述方法包括：提供一待加工异质结构，所述异质结构至少包括依次层叠设置的金刚石层、半导体膜层和金属层；金刚石表面涂覆光刻胶掩膜，依据目标制孔位置和尺寸，将激光束聚焦于光刻胶，以对所述光刻胶进行烧蚀去除；依据目标制孔位置和尺寸，采用对光刻胶具有透过特性的激光束，由金刚石层背离半导体膜层的表面入射至预留高度；由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描，以改变金刚石层被激光束扫描的区域的晶型结构；对所述金刚石层被激光束扫描的区域进行去除，以在异质结构上形成盲孔；以所述光刻胶层为掩膜，对所述半导体膜层和预留高度的金刚石层进行刻蚀，直至所述金属层暴露后，去除所述光刻胶，完成金刚石异质结构制孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由金刚石层背离半导体膜层的表面入射至预留高度包括：选取对金刚石具有透过性的波长的激光形成激光束，并控制所述激光束由金刚石层背离半导体膜层的表面入射至预留高度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由金刚石层背离半导体膜层的表面入射至预留高度包括：控制激光束由金刚石层背离半导体膜层的表面入射，聚焦于金刚石层内距金刚石层与半导体膜层界面不小于50μm位置。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描包括：每次激光聚焦位置在高度方向的所述预设步进高度为45±15μm，在每次完成步进后，控制所述激光束在平面内进行扫描。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描包括：控制激光束的聚焦光斑以螺旋上升的扫描路径在所述金刚石层内扫描。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以所述光刻胶层为掩膜，对所述半导体膜层和预留高度的金刚石层进行刻蚀包括：采用氧气、氩气、四氟化碳和六氟化硫中的一种或几种的混合物作为气体源，以等离子体干法刻蚀方法对所述半导体膜层和预留高度的金刚石层进行刻蚀。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述金刚石层被激光束扫描的区域进行去除包括：采用机械制孔或化学腐蚀的方式将金刚石层被激光扫描的区域进行去除。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描包括：依据所述预设步进高度，获取空间光调制器对每次在高度方向上步进后，对激光束进行球差校正所需的全息图；每次在激光束聚焦位置在高度方向上步进后，将激光束聚焦之前，对所述空间光调制器加载当前高度对应的全息图，并采用所述空间光调制器对所述激光束进行球差校正。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依据目标制孔位置和尺寸，采用对光刻胶具有透过特性的激光束，由金刚石层背离半导体膜层的表面入射至预留高度包括：选取纳秒激光、皮秒激光或飞秒激光形成激光束，并由金刚石层背离半导体膜层的表面入射。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述由预留高度开始，依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描，以改变金刚石层被激光束扫描的区域的晶型结构包括：采用激光束由金刚石层背离半导体膜层的表面入射，并依据预设步进高度逐层聚焦照射并扫描，以使金刚石层被激光束扫描的区域的晶型结构由金刚石相转换为石墨相或非晶碳相。
