一种适用于高精度图案结构制备的SiN掩膜及其制备方法

本发明提供一种适用于高精度图案结构制备的SiN<Sub>x</Sub>掩膜及其制备方法，属于微纳加工技术领域。该掩膜采用超薄结构消除阴影效应，并制备低应力的SiN<Sub>x</Sub>薄膜作为掩膜图案的主体，以保证机械强度，适用于大面积、高密度阵列的图形化制备。