一种基于埋底界面改性制备高效反式钙钛矿电池的方法及钙钛矿太阳电池器件

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体为一种基于埋底界面改性制备高效反式钙钛矿电池的方法及钙钛矿太阳电池器件，包括以下步骤：对FTO玻璃基底进行预处理步骤；在预处理FTO玻璃基底上依次制备氧化镍空穴传输层以及SAM空穴传输层；使用IAM分子溶液对埋底界面进行改性；在埋底界面改性层表面旋涂钙钛矿前驱体溶液，经结晶后，获得具备钙钛矿光吸收层；在钙钛矿光吸收层上，依次旋涂PCBM氯苯溶液以形成电子传输层、制备BCP阻挡层；并在BCP阻挡层上通过蒸镀完成银电极的制备，得到钙钛矿电池器件。本发明将IAM界面改性层被整合到钙钛矿层的埋底界面处，IAM分子凭借其独特的分子结构，形成氢键网络，增强界面稳定性，增强界面层的电荷传输能力。