一种嵌置式双ITO/Au复合电极薄膜铌酸锂调制器

本发明公开一种嵌置式双ITO/Au复合电极薄膜铌酸锂调制器，从下至上依次包括硅衬底、下盖层、具有脊型波导的薄膜铌酸锂层和上盖层，在薄膜铌酸锂层上且于脊型波导两侧开设有下凹的嵌置槽，嵌置槽安装ITO<Sub>1</Sub>电极，在ITO<Sub>1</Sub>电极底部填充SiO<Sub>2</Sub>填埋层；薄膜铌酸锂层上方且于脊型波导两侧设置Au电极，在两侧Au电极中嵌有与ITO<Sub>1</Sub>电极平行且等大的ITO<Sub>2</Sub>电极。本发明ITO/Au复合电极能够在控制Au材料近场吸收/散射损耗的前提下将具有较低消光系数的ITO电极更靠近波导，同时通过上下两端ITO电极的耦合作用，在光模处产生更均匀、集中的电场分量，从而增强电光的重叠，在改善了光学损耗的同时还兼顾提升了调制效率，是实现高性能薄膜铌酸锂调制器的有效方案。