基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备

本申请提供了一种基于铁电晶体管和铁电电容的存储器、制备方法、读取方法和电子设备，涉及存储器领域，旨在改善当前存储器存在着存储计算效率过低的问题。包括访问晶体管、铁电晶体管、多个铁电电容、源线、板线、字线和多条位线；存储器包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、有源层、铁电层和栅极层：第一堆叠结构包括多个位线层和多个第一介质层，第二堆叠结构设置于第一堆叠结构远离衬底的一侧；第二堆叠结构包括依次层叠的第二介质层、源线层、第三介质层、板线层、第四介质层、字线层、第五介质层和电极层；字线层包括访问晶体管的栅极以及字线；源线层包括源线；板线层包括板线。本申请能够满足高算力场景的低延迟需求的问题。