一种Mg过量的MgNbO介质陶瓷及其制备方法

本发明公开了一种Mg过量的MgNb2O6介质陶瓷及其制备方法，属于介质陶瓷技术领域，采用固相反应法制备了MgNb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub> + x mol.% MgO（x大于0，小于等于3）介质陶瓷，Mg离子过量并没有改变陶瓷物相结构，反而能够抑制陶瓷晶粒异常长大，使晶粒更均匀。此外，随着过量Mg离子增加，MgNb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>陶瓷介电常数ε<Sub>r</Sub>和品质因数Q × f呈现先增加后下降的趋势，在x=2时，陶瓷具有最佳介电性能：ε<Sub>r</Sub>=20.37，Q×f=85,410 GHz，τ<Sub>f</Sub>=‑62.21ppm/°C。